Semiconductor device and method of manufacturing the same

반도체 소자 및 그의 제조방법


A semiconductor device and a method of manufacture thereof are provided to prevent the holes stored in a body part of SOI device by apply the magnetic field to the magnetic layer formed within the source region of the element isolation film part of the gate lower potion and both sides of gate and drain region. An element isolation film(108) is formed within the silicon layer of the SOI (Silicon On Insulator) substrate having the laminating structure of a filling oxide layer(102) and a silicon layer(104). The lower part of the element isolation film contacts the filling oxide layer. A gate(G) is formed on the active region including the element isolation film. The gate is made of the laminating structure of a gate insulating layer(118), a gate hard mask membrane(122), and a gate conductive film(120). A spacer(126) is formed on the side wall of the gate. A source region and drain region(124) are formed within the silicon layer of both sides of gate. The first magnetic layer(110) is formed within the element isolation film of the lower part of the gate. The second magnetic layer(116) is formed within the source region and the drain region of both sides of the gate.
본 발명은 리프레쉬(Refresh) 특성을 개선할 수 있는 반도체 소자 및 그의 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자는, 실리콘 기판 상에 매몰 산화막과 실리콘층이 차례로 적층된 구조를 갖는 SOI 기판; 상기 실리콘층 내에 상기 매몰 산화막과 접촉하도록 형성되어 활성 영역을 정의하는 소자분리막; 상기 소자분리막을 포함한 상기 활성 영역 상에 형성된 게이트; 상기 게이트 하부의 소자분리막 내에 형성된 제1마그네틱층; 상기 게이트 양측의 실리콘층 내에 형성된 소오스 영역과 드레인 영역; 및 상기 소오스 영역과 드레인 영역 내에 형성된 제2마그네틱층;을 포함한다.




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