반도체 소자의 트랜지스터 및 그 제조 방법

Transistor in a semiconductor device and method of manufacturing the same

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명은 반도체 기판에 실리콘 질화막을 형성한 후 실리콘 질화막과 반도체 기판의 계면에 질화 산화막을 형성하여 게이트 산화막을 질화 산화막과 실리콘 질화막의 적층 구조로 형성함으로써, 핫 캐리어 이펙트에 대한 저항성을 향상시키고 게이트 전극에 주입된 보론이 채널 영역을 침투하는 것을 방지하여 공정의 신뢰성 및 소자의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 트랜지스터 및 그 제조 방법이 개시된다. 게이트 산화막, 핫 캐리어, 실리콘 질화막, 질화 산화막

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