반도체 기억 장치

Semiconductor memory device

Abstract

반도체 기억 장치는, n(n은 자연수) 비트 데이터를 기억하는 것이 가능한 메모리 셀을 복수 갖는 제1 영역 및 k(k>n:k는 자연수) 비트 데이터를 기억하는 것이 가능한 메모리 셀을 복수 갖는 제2 영역을 구비한 메모리 셀 어레이와, 복수의 데이터 캐시를 구비한 데이터 기억 회로와, 상기 제1 영역의 상기 k/n개의 메모리 셀로부터 판독한 상기 k비트 데이터를 상기 데이터 기억 회로에 기억시키고, 상기 k비트 데이터를 상기 제2 영역의 메모리 셀에 기억시키도록 상기 메모리 셀 어레이 및 상기 데이터 기억 회로를 제어하는 제어 회로를 구비한다. 비트 데이터, 메모리 셀 어레이, 제어 회로, 데이터 캐시

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Patent Citations (3)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    KR-20040091583-AOctober 28, 2004가부시끼가이샤 도시바불휘발성 반도체 기억 장치 및 이것을 이용한 전자 장치
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