반도체 메모리 장치 및 그것의 오버 드라이빙 방법

Abstract

본 발명에 따른 반도체 메모리 장치는: 센스 앰프에 연결된 전원라인; 상기 센스 앰프의 센싱 구간에서 상기 전원라인에 외부전압(VEXT)을 인가하는 오버 드라이버; 및 상기 센스 앰프의 증폭 구간에서 상기 전원라인에 내부전압(VINTA)을 인가하는 내부전압 드라이버를 포함하되, 상기 오버 드라이버는 블럭 단위로 오버 드라이빙을 실시한다.
A semiconductor memory device may include a power line, an over driver, and/or an internal voltage driver. The power line may be connected to at least one sense amplifier. The at least one sense amplifier may be connected to a memory cell included in a memory block. The memory block may be included in one of a plurality of memory block units including one or more memory blocks. The over driver may be configured to apply an external voltage to the power line in a sensing period of the sense amplifier. The internal voltage driver may be configured to apply an internal voltage to the power line in an amplification period of the sense amplifier. The over driver may be configured to perform an over driving operation by each memory block unit.

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