Semiconductor device and method of manufacturing the same

반도체 소자 및 그의 제조방법

Abstract

본 발명은 인접 게이트에 의한 간섭 효과를 감소시킬 수 있는 반도체 소자 및 그의 제조방법을 개시하며, 개시된 본 발명의 반도체 소자는, 리세스된 채널 지역을 포함한 활성영역을 갖는 반도체 기판; 상기 반도체 기판 내에 활성영역을 한정하도록 형성되며, 상기 활성영역에서의 채널 지역 이외의 지역과 인접한 부분이 식각된 소자분리막; 상기 활성영역의 리세스된 채널 지역 상에 형성된 게이트; 상기 게이트 양측의 활성영역 표면 내에 형성된 접합 영역; 및 상기 접합 영역 및 상기 식각된 소자분리막 부분 상에 형성된 랜딩플러그;를 포함한다.

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    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    KR-100650773-B1November 21, 2006주식회사 하이닉스반도체돌기형 트랜지스터 및 그의 형성방법
    KR-20020018059-AMarch 07, 2002다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시, 미쓰비시덴키 가부시키가이샤Mos semiconductor device and method of manufacturing the same
    KR-20070114463-ADecember 04, 2007주식회사 하이닉스반도체A semiconductor device having self align contact plugs and method of manufacturing the same

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