가스분사유닛 및 이를 구비하는 플라즈마 기판 처리 장치

Abstract

분사홀 내부에 국소 플라즈마를 발생시킴으로써, 플라즈마 처리 효율과 소스가스의 분사 효율을 향상시킨 가스분사유닛 및 이를 구비하는 플라즈마 기판 처리 장치가 개시된다. 본 발명은, 표면처리 공정이 수행될 프로세스 챔버 내에 구비되어 소스가스를 분사하는 가스분사유닛에 있어서, 플레이트, 상기 플레이트를 관통하여 형성되고, 내부에 플라즈마가 발생되는 제1 분사부, 상기 제1 분사부와 독립적으로 소스가스의 분사가 가능하도록 형성된 제2 분사부 및 상기 제1 분사부를 따라 유동하는 상기 소스가스에 의해 상기 제2 분사부 내의 소스가스가 상기 제1 분사부로 유입되도록 상기 제1 분사부와 상기 제2 분사부를 연통시키는 연결유로를 포함하여 구성된다. 따라서, 상기 제1 분사부 내에 발생된 국소 플라즈마에 의해 플라즈마의 발생 밀도를 증가시킬 수 있으며, 플라즈마의 에너지를 기판으로 효과적으로 전달함으로써, 플라즈마에 의한 기판의 표면처리 효율과 품질을 향상시킬 수 있다. 플라즈마 기판 처리 장치, HDP, CVD, 샤워헤드, halo cathode

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      Publication numberPublication dateAssigneeTitle
      JP-H11124676-AMay 11, 1999Kokusai Electric Co Ltd, 国際電気株式会社Plasma cvd device
      KR-20020051489-AJune 29, 2002윤종용, 삼성전자 주식회사Shower head of Chemical Vapor Deposition equipment for improving a thickness uniformity
      KR-20030037873-AMay 16, 2003삼성전자주식회사A gas nozzle for semiconductor processing apparatus

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