Ldmos 트랜지스터

  • Inventors:
  • Assignees: 엔엑스피 비 브이
  • Publication Date: December 16, 2009
  • Publication Number: KR-100932363-B1

Abstract

본 발명의 LDMOS 트랜지스터(1)는 기판(2), 게이트 전극(10), 기판 콘택트 영역(11), 소스 영역(3), 채널 영역(4) 및 드레인 영역(5)을 포함하고, 드레인 영역(5)은 드레인 콘택트 영역(6) 및 드레인 확장 영역(7)을 포함한다. 드레인 콘택트 영역(6)은 드레인 확장 영역(7) 상에서 연장되는 상부 금속층(23)에 전기적으로 접속되고, 상기 상부 금속층(23)과 드레인 확장 영역(7) 사이에 2㎛ 보다 큰 거리를 갖는다. 이러한 방식으로 드레인 콘택트 영역(6)의 넓이가 감소될 수 있고 LDMOS 트랜지스터(1)의 RF 전력 출력 효율이 향상된다. 다른 실시예에서 소스 영역(3)은 제 1 금속층(21) 대신 실리사이드 층(32)을 통해 기판 콘택트 영역(11)에 전기적으로 접속되며, 그에 따라 소스 영역(3)과 드레인 영역(5) 사이의 용량성 커플링을 감소시키고 LDMOS 트랜지스터(1)의 RF 전력 출력 효율을 더 증가시킨다.

Claims

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Topics

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      Publication numberPublication dateAssigneeTitle
      US-2001012671-A1August 09, 2001Yutaka Hoshino, Shuji Ikeda, Isao Yoshida, Shiro Kamohara, Megumi Kawakami, Tomoyuki Miyake, Masatoshi MorikawaSemiconductor device and a method of manufacturing the same
      US-4757362-AJuly 12, 1988Sharp Kabushiki KaishaHigh voltage MOS transistor
      WO-2005022645-A2March 10, 2005Koninklijke Philips Electronics N.V.Dispositif electronique comportant un transistor ldmos

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