Soi웨이퍼 및 그 제조방법

SOI Wafer and Method for Manufacturing Same

Abstract

본 발명은, 적어도 지지 기판 상에 절연막을 매개로 또는 직접 실리콘 활성층이 형성된 SOI웨이퍼로서, 적어도 상기 실리콘 활성층이, 쵸크랄스키 법에 의해 육성된 N영역 및/또는 무결함 I영역의 P(인) 도프 실리콘 단결정이고, 또한 Al(알루미늄)을 2×10 12 atoms/cc이상의 농도로 포함하는 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 SOI웨이퍼이다. 이것에 의해, 극히 얇은 실리콘 활성층을 형성한 경우라 해도, 불산 세정등에 의해 미소 피트가 발생하지 않고 우수한 전기 특성을 가지며, 또는, 극히 얇은 층간 절연막을 형성한 경우라 해도, 고절연성이 유지되어, 디바이스 제작 공정에서의 전기적 신뢰성이 높은 SOI웨이퍼를 간단하면서도 저가로 제공하는 것이 가능하다. 활성층, 단결정, 실리콘, 웨이퍼, 무결함, 도프, 인(P)

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    JP-2000351690-ADecember 19, 2000Nippon Steel Corp, Nsc Electron Corp, ニッテツ電子株式会社, 新日本製鐵株式会社Silicon single crystal wafer and its production
    JP-2001044398-AFebruary 16, 2001Mitsubishi Materials Silicon Corp, 三菱マテリアルシリコン株式会社張り合わせ基板およびその製造方法
    JP-2001146498-AMay 29, 2001Shin Etsu Handotai Co Ltd, 信越半導体株式会社Silicon single crystal wafer, method for producing the same and soi wafer

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